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IRF540: MOSFET de canal N 100V y 28A en encapsulado TO-220.
El IRF540 es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal N, diseñado para manejar altas corrientes y voltajes. Con una capacidad de voltaje de hasta 100 voltios y una corriente máxima de 28 amperios, este MOSFET es adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia en una variedad de dispositivos electrónicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores, reguladores de voltaje y más. Su encapsulado TO-220 facilita su montaje en circuitos y su diseño robusto permite una alta eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de alta potencia.
Descripción General:
El IRF540 es un MOSFET de potencia de canal N ampliamente utilizado en aplicaciones donde se requiere conmutación rápida y manejo eficiente de corrientes elevadas. Este transistor es conocido por su robustez y fiabilidad en diversas aplicaciones industriales y de hobby.
Características Principales:
• Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N.
• Encapsulado: TO-220, que permite una buena disipación de calor.
• Tensión drenador-fuente (Vds): 100V.
• Corriente drenador continua (Id): 28A.
• Potencia máxima disipada: Aproximadamente 130W.
• Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): Baja resistencia en estado de conducción.
Características Eléctricas:
• Tensión umbral de puerta (Vgs(th)): Normalmente alrededor de 2-4V.
• Capacitancia de entrada (Ciss): Relativamente alta, típica de MOSFETs de potencia.
Pinout:
El pinout del IRF540 en encapsulado TO-220 incluye:
• Pin 1 (Fuente): Conexión al terminal de referencia del MOSFET.
• Pin 2 (Drenador): Conexión a la carga o al circuito de salida.
• Pin 3 (Puerta): Controla el estado de conducción del MOSFET.
Aplicaciones Comunes:
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Circuitos de conmutación de alta potencia.
• Reguladores de velocidad de motores.
• Sistemas de control de motores y actuadores.
Ventajas:
• Alta capacidad de conmutación y manejo de corriente.
• Baja resistencia en estado de conducción (Rds(on)).
• Diseño robusto y encapsulado TO-220 para disipación de calor efectiva.
• Ampliamente disponible y compatible con una variedad de aplicaciones industriales y de electrónica de potencia.
Información Adicional:
El IRF540 es un componente popular en el diseño de circuitos de potencia debido a su capacidad para manejar altas corrientes y tensiones. Es importante tener en cuenta las especificaciones eléctricas y el manejo térmico al utilizar este MOSFET para garantizar un rendimiento óptimo y duradero en el circuito.
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El IRF540 es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de canal N, diseñado para manejar altas corrientes y voltajes. Con una capacidad de voltaje de hasta 100 voltios y una corriente máxima de 28 amperios, este MOSFET es adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia en una variedad de dispositivos electrónicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores, reguladores de voltaje y más. Su encapsulado TO-220 facilita su montaje en circuitos y su diseño robusto permite una alta eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de alta potencia.
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