

El 2N3055 es un transistor BJT de tipo NPN diseñado para manejar corrientes y tensiones relativamente altas. Es conocido por su robustez y capacidad para disipar calor, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia media a alta.
• Tipo de dispositivo: Transistor bipolar de unión (BJT) NPN.
• Encapsulado: TO-3, que permite una buena disipación de calor.
• Voltaje colector-emisor máximo (Vceo): 70V.
• Corriente colector máxima continua (Ic): 15A.
• Potencia disipada máxima (Pd): Varía según el método de montaje y las condiciones de disipación térmica.
• Ganancia de corriente (hFE): Típicamente en el rango de 20 a 70.
• Impedancia de salida baja: Permite la conmutación eficiente de corrientes elevadas.
• Temperatura de operación: Amplio rango de temperatura, generalmente desde -65°C hasta 200°C.
• Velocidad de conmutación: Adecuada para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación.
El pinout del 2N3055 en encapsulado TO-3 típicamente incluye:
• Base (B): Controla la corriente de entrada al transistor.
• Colector (C): Terminal de conexión a la carga o al voltaje de alimentación positivo.
• Emisor (E): Conexión a tierra o al voltaje de alimentación negativo.
• Fuentes de alimentación reguladas.
• Amplificadores de audio de alta potencia.
• Reguladores de voltaje.
• Circuitos de conmutación de corriente.
• Fuentes de corriente constante.
• Capacidad para manejar altas corrientes y tensiones.
• Diseño robusto y duradero.
• Ampliamente disponible y económico.
• Efectivo en aplicaciones que requieren disipación de calor eficiente.
El transistor 2N3055 ha sido un componente básico en diseños de potencia durante décadas debido a su capacidad para manejar corrientes elevadas y su fiabilidad en una amplia gama de aplicaciones. Aunque existen transistores más modernos con mejores características de conmutación y eficiencia, el 2N3055 sigue siendo una opción popular para proyectos de electrónica de potencia y sistemas de control industrial.