IRFZ44N: Transistor MOSFET de alta potencia para proyectos electrónicos

Descripción General:

El transistor MOSFET IRFZ44N es un componente de potencia utilizado principalmente en aplicaciones donde se requiere conmutación eficiente y control de alta corriente. Este dispositivo es ampliamente utilizado en electrónica de potencia debido a su capacidad para manejar corrientes elevadas con baja resistencia y pérdidas mínimas.

Pinout:

1. Gate (Puerta): Controla el estado de conducción del MOSFET.

2. Drain (Drenador): Conectado al lado de carga o fuente de alimentación.

3. Source (Fuente): Conectado a tierra o referencia de voltaje del circuito.

Características Principales:

• Tipo de transistor: MOSFET de canal N.

• Encapsulado: TO-220AB.

• Voltaje de drenaje (Vds): Hasta 55V.

• Corriente continua de drenaje (Id): 49A (a 25°C).

• Resistencia de conducción (Rds(on)): 17.5 mOhm (Vgs = 10V).

• Voltaje umbral de puerta (Vgs(th)): 2.0 - 4.0V.

Características Eléctricas:

• Capacitancia de entrada (Ciss): 1450 pF (Vds = 25V, Vgs = 0V).

• Capacitancia de salida (Coss): 320 pF (Vds = 25V, Vgs = 0V).

• Capacitancia de transferencia (Crss): 330 pF (Vds = 25V, Vgs = 0V).

• Tiempo de subida (tr) y tiempo de bajada (tf): 24 ns típico (Vds = 25V, Id = 20A, Rg = 4.7 ohm).

Aplicaciones Comunes:

• Controladores de motor.

• Fuentes de alimentación conmutadas.

• Inversores y convertidores de potencia.

• Reguladores de voltaje.

• Amplificadores de audio de alta potencia.

Ventajas:

• Alta capacidad de conmutación y eficiencia.

• Baja resistencia de conducción (Rds(on)).

• Tensión de drenaje alta (hasta 55V) para aplicaciones robustas.

• Encapsulado robusto TO-220AB para una fácil instalación y disipación de calor.

Información Adicional:

El IRFZ44N es ideal para aplicaciones que requieren conmutación rápida y eficiente de altas corrientes, ofreciendo un rendimiento confiable y duradero en una variedad de diseños electrónicos de potencia.